TECHNOLOGY TRANSFER
PATENTS
2022
- Dispositivo y procedimiento de monitorización de radón en aire en tiempo real
M. Lozano, C. Fleta, S. Hidalgo, J. Herranz, A. Vizcaino, J. Benlliure, M. D. Cortina, J. J. Llerena
Patent: Spain 2022 number P202230660
Owner: CSIC (E) - Field-plate trench FET and associated method for manufacturing.
I.Cortés, P.Godignon, V.Soler and J. Rebollo
Patent: US 2022 number 11527626B2
Owner: Monolithic Power Systems (MPS) (US)
2021
- Método para la medida cuantitativa de temperatura
C. Ferrer, X. Perpinyà, M. Vellvehi, X. Jordà, O. Aviño.
Patent: Spain 2021 number P202130687
Owner: CSIC (E) - A Magnetoelectric device and uses of the magnetoelectric device
J. Sort, E. Menéndez, V. Sireus, A. Nicolenco, M. Cialone, JC de Rojas, G. Rius
Patent: Spain 2021 number PCT/EP21/060062
Owner: CSIC (E), ICREA (E) - Low-penetrating particles low-gain avalanche detector
G. Pellegrini, S. Hidalgo, D. Flores, W. Khalid, M. Valentan
Patent: Spain 2021 number PCT/EP21/0706111.
Owner: CSIC (E)
2019
- Self-aligned metal mask assembly for selectively depositing thin films on microelectronic substrates and devices, and method of use
X. Jordà, X. Perpiñà, M. Vellvehi, D. Sanchez, P. Godignon.
Patent granted: EU 2019 number EP2239769B1.
Owner: CSIC (E). - Transistor de efecto de campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo
F. Lloret, D. Araujo, P. Godignon
Patent: Spain 2019 number PCT/ES2019/070812
Owner: CSIC (E), Universidad de Cadiz (E) - Dispositif d’amélioration de la mobilité des porteurs dans un canal de MOSFET sur carbure de silicium
F. Torregrossa, P. Godignon, L. Roux
Patent: France 2019 number PCT/FR2019/052055
Owner: IBS (F) - Procedimiento de exfoliación y transferencia de grafeno de un substrato de Carburo de Silicio dopado a otro substrato
R. Villa, E. Prats, P. Godignon, G. Rius
Patent: Spain 2019 number 16/474282
Owner: IBS (F) - Procedimiento de transferencia de motivos micro-y/o nano-estructurados a superficies arbitrarias
O. Muntada, G. Rius, F.X. Perez-Murano
Patent: Spain 2019, number PCT/ES19/070513
Owner: CSIC (E) - Transistor de efecto de campo de unión, método de obtención y uso del mismo
M. Ullán, C. Couso, D. Quirión, S. Hidalgo, D. Flores
Patent: Spain 2019 number PCT/ES19/070578
Owner: CSIC (E)
2018
- Induction cooking appliance device with at least one connection unit
T. Cabeza, M. Fernandez, X. Jordà, S. Llorente, I. Millán, X. Perpiñà, D. Sanchez, M. Vellvehi.
Patent garnted: Germany 2018 number DE102017222394A1. Spanish patent number ES2673129A1
Owner: BSH Hausgeraete GmbH (D).
2017
- Procede de fabrication d’un transistor a effect de champ a jonction JFET
P. Godignon, J. Millán
Patent granted: Frnace 2017, number PCT/FR12/051983
Owner: CNRS (F), CSIC (E).
2016
- Procedimiento de obtención de láminas de cobre como sustrato para la producción de grafeno de alta calidad
N. Ferrer, L. Riera, E. Prats, G. Gabriel, P. Godignon, R. Villa, J. Padilla, F. Espiell, M. Segarra, E. Xuriguera
Patent: Spain 2016 number P201631029, 27/07/2016
Owner: La Farga, UB, CSIC - Procedimiento de exfoliación y transferencia de grafeno de un substrato de carburo de silicio dopado a otro substrato
R. Villa, E. Prats, P. Godignon, G. Rius
Patent: Spain 2016 number P201631701, 28/12/2016
Owner: CSIC (E), CIBER (E) - Transistor tipo JFET y método de obtención del mismo
M. Ullan, P. Fernandez-Martinez, S. Hidalgo, D. Flores, E. Villani
Patent: Spain 2016 numer PCT/ES2016/070662
Owner: CSIC (E) - Método de cálculo de flujo de potencia y sentido del mismo en un dispositivo electrónico
M. Vellvehi, X. Jordà, J. León, X. Perpiñà
Patent: Spain 2016 number P201630634
Owner: CSIC(E) - Método de extracción de figuras de mérito en dispositivos microelectrónicos
X. Perpiñà, J. León, X. Jordà, M. Velvlehi
Patent: Spain 2016 number P201630635
Owner: CSIC(E) - Método de cálculo de potencia entregada real por parte de un dispositivo electrónico o sistema electrónico
X. Perpiñà, M. Vellvehi, X. Jordà, J. León
Patent: Spain 2016 number P201630633
Owner: CSIC(E) - Procedimiento de análisis funcional de semiconductores alimentados inalambricamente
J. León, X. Perpiñà, X. Jordà, M. Vellvehi
Patent: Spain 2016 number PCT/ES16/070003
Owner: CSIC(E) - Procedimiento de fabricación de grafeno monocapa sobre substratos de Carburo de Silicio y procedimiento de caracterización avanzada del mismo
P. Godignon, J.M. de Teresa, M.R. Ibarra
Patent: Spain 2016 number P1269/2016
Owner: CSIC (E), Universidad de Zaragoza (E), Graphene Nanotech (E)
2015
- Electrically-Cooled Power Module
J.A. Saez, X. Jordà, J. Suárez, J.G. Fernández, X. Perpiñà, M. Vellvehi, L. Aubouy.
US Patent nº US 2012/0299375 A1.
Granted: 31 March 2015.
Owner: Lear Corporation (US) - Método no invasivo de caracterización electrotérmica local de componentes electrónicos en circuitos integrados
X. Jordà, M. Vellvehi, J. León, X. perpiñà
Patent: Spain 2015 number P201531937
Owner: CSIC (E) - Método de preparación de superficies previo al crecimiento epitaxial de grafeno sobre Carburo de Silicio
N. Mestres, G. Rius, P. Godignon
Patent: Spain 2015 number 1340/2014
Owner: CSIC (E)
2000-2014
- Microsonda neural y procedimiento de fabricación de la misma
M. Sanchez-Vives, P. Godignon, E. Prats, G. Gabriel, R. Villa
Patent: Spain 2013 number P201331895, 20/12/2013
Owner: CSIC (E), IDIBAPS (E) - Procedé de fabrication d’un transistor a effet de champ
J. Millan, F. Chevalier, P. Godignon
Patent: Spain 2012 number PCT/FR12/051983 2012
Owner: CSIC - Método de fabricación de dispositivos RC-IGBT
M. Vellvehi, X. Jordà, X. Perpiñà, J.L. Gálvez, P. Godignon
Patent: Spain 2009 number PCT/ES09/070043
Owner: CSIC (E) - Method of manufacturing an electronic power component, and an electronic power component obtained thereby
A. Petitbon, N. Martin, X. Jordà, P. Godignon, D. Flores.
US Patent nº US6589859B2.
Granted 8 July 2003.
Owner: Alstom Transport Technologies SAS (F)